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BLM41PG101SN1L详细规格: 类别：铁氧体磁珠和芯片; 描述：FERRITE CHIP 100 OHM 1806; 系列：EMIFIL®, BLM41P; 制造商：Murata Electronics North America; 频率对应阻抗：100 欧姆 @ 100MHz; 额定电流：-; DC电阻333DCR444：-; 滤波器类型：差模 - 单线; 封装/外壳：1806（4516 公制）; 安装类型：表面贴装; 包装：带卷 (TR); 高度（最大）：0.071"（1.80mm）; 尺寸/尺寸：0.177" L x 0.063" W（4.50mm x 1.60mm）

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C0805X471K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 470PF 50V 10% X7R 0805
BLF578XR,112
其它 NXP Semiconductors 0805（2012 公制） TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A
BLM31PG391SN1L
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 390 OHM 2000MA 1206
74HCT597N,652
逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC 8BIT SHIFT REGISTER 16DIP
C0603C510F1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 51PF 100V 1% NP0 0603
BQ29410DCTR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 宽） IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8
74LVC3G07DC,125
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC BUFFER TRPL OP/DRAIN 8VSSOP
C2410A.38.10
多芯导线 General Cable/Carol Brand 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） 2C/12 19/.0185TC UNSH CL3
C0805X472K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 4700PF 50V 10% X7R 0805
BLF647PS,112
RF FET NXP Semiconductors TRANSISTOR BROADBAND LDMOS ACC4L
C0603C510G3GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 51PF 25V 2% NP0 0603
BQ29410DCTR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 7-LSSOP（0.11"?，2.80mm 宽） IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8
74LVC3G07GN,115
逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 8-XFDFN IC INVERTER TRPL SCHMITT 8XSON
C2410A.41.10
多芯导线 General Cable/Carol Brand 8-XFDFN 2C/12 19/.0185TC UNSHIELD 1000’
74HCT688D,653
逻辑 - 比较器 NXP Semiconductors 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC COMPARATOR MAGNITUDE 20SOIC

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