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BLF7G22L-200,118详细规格: 类别：RF FET; 描述：TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2GHz ~ 2.2GHz; 增益：18.5dB; 电压_测试：28V; 额定电流：-; 噪音数据：-; 电流_测试：1.62A; 功率_输出：55W; 电压_额定：65V; 封装/外壳：SOT-502A; 供应商设备封装：LDMOST; 包装：Digi-Reel®

BLF7G22L-200,118详细规格: 类别：RF FET; 描述：TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2GHz ~ 2.2GHz; 增益：18.5dB; 电压_测试：28V; 额定电流：-; 噪音数据：-; 电流_测试：1.62A; 功率_输出：55W; 电压_额定：65V; 封装/外壳：SOT-502A; 供应商设备封装：LDMOST; 包装：带卷 (TR)

BLF7G22L-200,118详细规格: 类别：RF FET; 描述：TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：LDMOS; 频率：2GHz ~ 2.2GHz; 增益：18.5dB; 电压_测试：28V; 额定电流：-; 噪音数据：-; 电流_测试：1.62A; 功率_输出：55W; 电压_额定：65V; 封装/外壳：SOT-502A; 供应商设备封装：LDMOST; 包装：剪切带 (CT)

BF909A,215
RF FET NXP Semiconductors TO-253-4，TO-253AA MOSFET N-CH SOT-143B
C0402X5R1C101K
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 100PF 16V 10% X5R 01005
BLF7G21LS-160,118
其它 NXP Semiconductors 01005（0402 公制） TRANS RF LDMOS 160W SOT1121B
B32561J3683K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 68NF 10% 250V
B32686S2473K563
薄膜 EPCOS Inc 矩形接线盒 FILM CAP 0.0470UF 10% 2000V MFP
BH26AAB
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) 矩形接线盒 HOLDER 6 AA CELL W/ BUMP PLATES
C2012X7T2E104M/SOFT
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 250V 20% X7T 0805
C0603C180J5GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 18PF 50V 5% NP0 0603
BF909WR,115
RF FET NXP Semiconductors SC-82A，SOT-343 MOSFET N-CH 7V 40MA SOT343
B32686S474J561
薄膜 EPCOS Inc 矩形接线盒 FILM CAP 0.4700UF 5% 1000V MFP
B32561J3823K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.0820UF 10% 250V
BH26AAL
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) HOLDER BATT 6-AA CELLS SLDR LUGS
C2012X7T2E473K
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 0.047UF 250V X7T 0805
C0603C180J8GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 18PF 10V 5% NP0 0603
C0402X5R1C221K
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 220PF 16V 10% X5R 01005

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