BLF647,112详细规格
- 类别:RF FET
- 描述:TRANSISTOR RF DMOS SOT540A
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:LDMOS
- 频率:600MHz
- 增益:14.5dB
- 电压_测试:28V
- 额定电流:18A
- 噪音数据:-
- 电流_测试:-
- 功率_输出:120W
- 电压_额定:65V
- 封装/外壳:SOT-540A
- 供应商设备封装:LDMOST
- 包装:托盘
BLF647,112详细规格
- 类别:RF FET
- 描述:TRANSISTOR RF DMOS SOT540A
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:LDMOS
- 频率:600MHz
- 增益:14.5dB
- 电压_测试:28V
- 额定电流:18A
- 噪音数据:-
- 电流_测试:-
- 功率_输出:120W
- 电压_额定:65V
- 封装/外壳:SOT-540A
- 供应商设备封装:LDMOST
- 包装:托盘
BLF647P,112详细规格
- 类别:RF FET
- 描述:TRANSISTOR BROADBAND LDMOS CDFM4
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:
- 频率:
- 增益:
- 电压_测试:
- 额定电流:
- 噪音数据:
- 电流_测试:
- 功率_输出:
- 电压_额定:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
BLF647PS,112详细规格
- 类别:RF FET
- 描述:TRANSISTOR BROADBAND LDMOS ACC4L
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:
- 频率:
- 增益:
- 电压_测试:
- 额定电流:
- 噪音数据:
- 电流_测试:
- 功率_输出:
- 电压_额定:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
- 其它 NXP Semiconductors 0805(2012 公制) TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A
- 铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) FERRITE CHIP 390 OHM 2000MA 1206
- 逻辑 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-DIP(0.300",7.62mm) IC 8BIT SHIFT REGISTER 16DIP
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 51PF 100V 1% NP0 0603
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 7-LSSOP(0.11"?,2.80mm 宽) IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 NXP Semiconductors 8-VFSOP(0.091",2.30mm 宽) IC BUFFER TRPL OP/DRAIN 8VSSOP
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 8-VFSOP(0.091",2.30mm 宽) 2C/12 19/.0185TC UNSH CL3
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 4700PF 50V 10% X7R 0805
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 NXP Semiconductors 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC TRANSCEIVER 3ST 8BIT 20SOIC
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 51PF 25V 2% NP0 0603
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 7-LSSOP(0.11"?,2.80mm 宽) IC BATT PROT 2-4CELL LI-ION SM8
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 NXP Semiconductors 8-XFDFN IC INVERTER TRPL SCHMITT 8XSON
- 多芯导线 General Cable/Carol Brand 8-XFDFN 2C/12 19/.0185TC UNSHIELD 1000’
- 逻辑 - 比较器 NXP Semiconductors 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC COMPARATOR MAGNITUDE 20SOIC
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 4700PF 630V 10% X7R 0805