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BLA1011S-200,112 全国供应商、价格、PDF资料

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BLA1011S-200,112详细规格: 类别：RF FET; 描述：TRANS LDMOS NCH 75V SOT502B; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：LDMOS; 频率：1.03GHz ~ 1.09GHz; 增益：13dB; 电压_测试：36V; 额定电流：-; 噪音数据：-; 电流_测试：150mA; 功率_输出：200W; 电压_额定：75V; 封装/外壳：SOT-502B; 供应商设备封装：LDMOST; 包装：托盘

BLA1011S-200,112供应商

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B43305F2687M87
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 250V
C1005C0G1H391J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 390PF 50V 5% NP0 0402
B43601G2687M
电容器 EPCOS Inc 680UF 250V 30X30 SNAP-IN
B59850C0080A051
PTC 可复位保险丝 EPCOS Inc 径向，圆盘 PTC RESETTABLE 110MA 230V RAD
BLA1011-300,112
RF FET NXP Semiconductors SOT-957A TRANS LDMOS NCH 75V SOT957A
B43305G2108M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 250V
BTS5014SDA
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD IC PWR SW SMART HISIDE TO252-5
C1005C0G1H391J
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 390PF 50V 5% NP0 0402
B43601G2687M60
电容器 EPCOS Inc 680UF 250V 30X30 SNAP-IN
B43305G2687M60
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 250V
BTS5090-2EKA
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）裸露焊盘 IC PWR SW HI-SIDE 2CH DSO14-40
C1005C0G1H3R5C
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 3.5PF 50V NP0 0402
B43601H2687M60
电容器 EPCOS Inc 680UF 250V 35X25 SNAP-IN
B59860C0120A070
PTC 可复位保险丝 EPCOS Inc 径向，圆盘 PTC RESETTABLE 140MA 230V RAD
BLA2ABB100SN4D
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 0804（2010 公制），阵列，8 PC 板 FERRITE ARRAY 10 OHM 200MA 0804

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