BFU660F,115 全国供应商、价格、PDF资料

BFU660F,115详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANSISTOR NPN SOT343F-4

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：5.5V

频率_转换：21GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益：12dB ~ 21dB

功率_最大：225mW

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：90 @ 10mA，2V

电流_集电极333Ic444（最大）：60mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-343F

供应商设备封装：4-DFP

包装：剪切带 (CT)

BFU660F,115详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANSISTOR NPN SOT343F

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：5.5V

频率_转换：21GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益：12dB ~ 21dB

功率_最大：225mW

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：90 @ 10mA，2V

电流_集电极333Ic444（最大）：60mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-343F

供应商设备封装：4-DFP

包装：带卷 (TR)

BFU660F,115详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANSISTOR NPN SOT343F-4

系列：-

制造商：NXP Semiconductors

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：5.5V

频率_转换：21GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益：12dB ~ 21dB

功率_最大：225mW

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：90 @ 10mA，2V

电流_集电极333Ic444（最大）：60mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-343F

供应商设备封装：4-DFP

包装：Digi-Reel®