BFG35,115详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):18V
- 频率_转换:4GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):-
- 增益:-
- 功率_最大:1W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 100mA,10V
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:带卷 (TR)
BFG35,115详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):18V
- 频率_转换:4GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):-
- 增益:-
- 功率_最大:1W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 100mA,10V
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:剪切带 (CT)
BFG35,115详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 10V 150MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):18V
- 频率_转换:4GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):-
- 增益:-
- 功率_最大:1W
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 100mA,10V
- 电流_集电极333Ic444(最大):150mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:Digi-Reel®
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 100K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
- FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Rohm Semiconductor 18-SOIC (0.213", 5.40mm 宽) IC DRIVER 12BIT S-IN P-OUT SOP18
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SC-82A,SOT-343 TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R
- 线性 - 视频处理 NXP Semiconductors SOT-115D IC PUSH-PULL AMP 860MHZ SOT115D
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 2PF 400V RADIAL
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 102K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
- RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
- FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 120V 37A TSDSON-8
- 线性 - 音频处理 Infineon Technologies 11-WFBGA,WLCSP IC FILTER/ESD PROT RF S-WLP-11
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 2PF 400V RADIAL
- RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 7.87K OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-343 反向插针 TRANS NPN 4.5V 25GHZ SOT343