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BFG325W/XR,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：6V; 频率_转换：14GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.1dB @ 2GHz; 增益：18.3dB; 功率_最大：210mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 15mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：35mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：剪切带 (CT)

BFG325W/XR,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：6V; 频率_转换：14GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.1dB @ 2GHz; 增益：18.3dB; 功率_最大：210mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 15mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：35mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：带卷 (TR)

BFG325W/XR,115详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 6V 35MA 14GHZ SOT343R; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：6V; 频率_转换：14GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.1dB @ 2GHz; 增益：18.3dB; 功率_最大：210mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 15mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：35mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-82A，SOT-343; 供应商设备封装：CMPAK-4; 包装：Digi-Reel®

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