BD440详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 60V 4A BIPO TO-225AA
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):4A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):800mV @ 300mA,3A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 500mA,1V
- 功率_最大:36W
- 频率_转换:3MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
- 供应商设备封装:TO225AA
- 包装:散装
BD440G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 60V 4A BIPO TO-225AA
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):4A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):800mV @ 300mA,3A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 500mA,1V
- 功率_最大:36W
- 频率_转换:3MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
- 供应商设备封装:TO225AA
- 包装:散装
BD440S详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 4A TO-126
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):4A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):800mV @ 200mA,2A
- 电流_集电极截止(最大):100µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 500mA,1V
- 功率_最大:36W
- 频率_转换:3MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
- 供应商设备封装:TO-126
- 包装:散装
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE HBC 12UH 10%
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 TRANS NPN 60V 4A BIPO TO-225AA
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 16V 10% X7R 0805
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 820UF 250V
- 电容器 EPCOS Inc CAP 400V 180UF 105C 3000HR
- 陶瓷 EPCOS Inc 1206(3216 公制) CAP CER 10000PF 50V X7R 1206
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 15PF 100V 5% RADIAL
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 100UF 450V
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE HBC 4.7UH 10%
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 50V 10% X7R 0805
- 电容器 EPCOS Inc CAP 250V 1200UF 105C 3000HR
- 陶瓷 EPCOS Inc 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 1206
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 15PF 100V 5% RADIAL
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 100UF 450V
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 2200UF 6.3V