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BD241C 全国供应商、价格、PDF资料

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BD241C详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 100V 3A TO-220
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 600mA,3A
电流_集电极截止(最大):300µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:10 @ 3A,4V
功率_最大:40W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220
包装:管件

BD241C详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 100V 3A BIPO TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 600mA,3A
电流_集电极截止(最大):300µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,4V
功率_最大:40W
频率_转换:3MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

BD241CG详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 100V 3A BIPO TO220AB
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 600mA,3A
电流_集电极截止(最大):300µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,4V
功率_最大:40W
频率_转换:3MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220AB
包装:管件

BD241CTU详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 100V 3A TO-220
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):3A
电压_集电极发射极击穿(最大):100V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.2V @ 600mA,3A
电流_集电极截止(最大):300µA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,4V
功率_最大:40W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商设备封装:TO-220
包装:管件

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