BD237详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR POWER NPN SOT-32
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,2V
- 功率_最大:25W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
- 供应商设备封装:SOT-32-3
- 包装:管件
BD237G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 80V 2A BIPO TO-225
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,2V
- 功率_最大:25W
- 频率_转换:3MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
- 供应商设备封装:TO225AA
- 包装:散装
BD237STU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 80V 2A TO-126
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):2A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,2V
- 功率_最大:25W
- 频率_转换:3MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
- 供应商设备封装:TO-126
- 包装:管件
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.033UF 200V X7R 1210
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS SS DARL NPN 80V 1A TO-92
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 15PF 25V 5% NP0 0201
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC HEX INVERTER CMOS 14TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1PF 50V NP0 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 5600PF 50V 5% NP0 0603
- 配件 CBM America Corporation 0603(1608 公制) CONTROL BOARD THERMAL PRINTER
- 固定式 EPCOS Inc 0805(2012 公制) INDUCTOR 680NH 190MA 0805 5%
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.33UF 100V 20% X7R 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 5.6PF 50V NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 16PF 25V 2% NP0 0201
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 11PF 50V NP0 0402
- 共模扼流圈 EPCOS Inc - I CORE CHOKE 290UH 16A
- 逻辑 - 栅极和逆变器 NXP Semiconductors 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC HEX INVERTER CMOS 14SOIC
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 3.3UF 25V 10% X8L 1210