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BD237 全国供应商、价格、PDF资料

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BD237详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR POWER NPN SOT-32
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):2A
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,2V
功率_最大:25W
频率_转换:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
供应商设备封装:SOT-32-3
包装:管件

BD237G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 80V 2A BIPO TO-225
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):2A
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,2V
功率_最大:25W
频率_转换:3MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
供应商设备封装:TO225AA
包装:散装

BD237STU详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 80V 2A TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):2A
电压_集电极发射极击穿(最大):80V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:25 @ 1A,2V
功率_最大:25W
频率_转换:3MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
供应商设备封装:TO-126
包装:管件

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