BCX71J详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BCX71J,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BCX71J,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCX71J,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BCX71J,235详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BCX71J_D87Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):20nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 50V 5% NP0 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 15PF 50V 5% NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 12X12 2.2UH 8.00A
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 100V X7R 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 50V 5% X7R 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 150PF 50V 1% NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 33UH 3.0A SMD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 25V 10% X7R 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 25V 10% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 150PF 50V 1% NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Rohm Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 45V 200MA SST3 TR
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 100V 20% X7R 1210
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 12X12 330.0UH 0.95A