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BCW68G 全国供应商、价格、PDF资料

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BCW68G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 45V 800MA SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):800mA
电压_集电极发射极击穿(最大):45V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 30mA,300mA
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
功率_最大:350mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:带卷 (TR)

BCW68GLT1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):800mA
电压_集电极发射极击穿(最大):45V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 30mA,300mA
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 10mA,1V
功率_最大:225mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:剪切带 (CT)

BCW68GLT1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):800mA
电压_集电极发射极击穿(最大):45V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 30mA,300mA
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 10mA,1V
功率_最大:225mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:带卷 (TR)

BCW68GLT1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP GP 45V 800MA SOT-23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):800mA
电压_集电极发射极击穿(最大):45V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 30mA,300mA
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 10mA,1V
功率_最大:225mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:Digi-Reel®

BCW68GLT3G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS PNP 45V 800MA SOT23
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):800mA
电压_集电极发射极击穿(最大):45V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 30mA,300mA
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:120 @ 10mA,1V
功率_最大:225mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
包装:带卷 (TR)

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