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BCW60C 全国供应商、价格、PDF资料

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BCW60C详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):32V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
电流_集电极截止(最大):20nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
功率_最大:350mW
频率_转换:125MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SOT-23
包装:带卷 (TR)

BCW60C,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):32V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
频率_转换:250MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:带卷 (TR)

BCW60C,215详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):32V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
频率_转换:250MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:带卷 (TR)

BCW60C,235详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):32V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):550mV @ 1.25mA,50mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:250 @ 2mA,5V
功率_最大:250mW
频率_转换:250MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:TO-236AB
包装:带卷 (TR)

BCW60CT116详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 32V 200MA SST3 TR
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):200mA
电压_集电极发射极击穿(最大):32V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):-
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:260 @ 2mA,5V
功率_最大:-
频率_转换:125MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SST3
包装:带卷 (TR)

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