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BCP69-25 全国供应商、价格、PDF资料

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BCP69-25,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 500mA,1V
功率_最大:1.4W
频率_转换:140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SC-73
包装:带卷 (TR)

BCP69-25,135详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 500mA,1V
功率_最大:1.4W
频率_转换:140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SC-73
包装:带卷 (TR)

BCP69-25,135详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT223
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 500mA,1V
功率_最大:1.4W
频率_转换:140MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装:SC-73
包装:带卷 (TR)

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