BCP5216TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 60V 1A 2W SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
BCP5216TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 60V 1A 2W SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
BCP5216TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 60V 1A 2W SOT223
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.015UF 6.3V X5R 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 5.1V 500MW DO-35
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP 60V 1A 2W SOT223
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 6800PF 25V 10% X7R 0402
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 82PF 50V 5% NP0 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 10V 500MW DO-35
- RF 二极管 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 DIODE PIN GP 100V 100MA SOT323
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1.5PF 50V NP0 0402
- 其它 Wurth Electronics Inc 0402(1005 公制) KIT DESIGN RF FOR GPS
- 配件 APM Hexseal TO-261-4,TO-261AA SEAL ROTARY SHAFT M9-.75 THD
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 82PF 50V 5% NP0 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE VREG 15V 500MW DO-35
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 5.6V 500MW DO-35
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1.5PF 50V NP0 0402
- RF 二极管 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE PIN 175V 100MA SOT-23