BCP52-10,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1.3W
- 频率_转换:145MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:Digi-Reel®
BCP52-10,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1.3W
- 频率_转换:145MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:带卷 (TR)
BCP52-10,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1.3W
- 频率_转换:145MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:剪切带 (CT)
- 电容器 EPCOS Inc 100UF 16V 6.3X11 SINGLE END
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 22UF 160V
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR PNP 60V 1.2A SOT-223
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL
- 存储器 - 控制器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SRAM NONVOL CNTRLR 8-SOIC
- 铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) FERRITE BEAD 1000OHM 0402
- 陶瓷 TDK Corporation CAPACITORS CERAMIC
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0603
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 470UF 160V
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 27PF 100V 5% RADIAL
- 存储器 - 控制器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SRAM NONVOLATILE CNTRLR 8SOIC
- 铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402(1005 公制) FERRITE BEAD 68 OHM 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 50V 5% X7R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation CAPACITORS CERAMIC
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 1.5UF 200V