BCP51TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP BIPOL 45V 1A SOT223-4
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:剪切带 (CT)
BCP51TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP BIPOL 45V 1A SOT223-4
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:Digi-Reel®
BCP51TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP BIPOL 45V 1A SOT223-4
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:2W
- 频率_转换:125MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SOT-223
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.75PF 16V NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 680PF 50V 1% NP0 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP 45V 1A 2W SOT223
- D-Sub TE Connectivity TO-261-4,TO-261AA CONN D-SUB RECPT 25P 22-26AWG AU
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE VREG 39V 500MW DO-35
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.015UF 16V 10% X7R 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 DIODE ZENER 6.2V 300MW SOD523
- RF 二极管 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 DIODE PIN GP 50V 50MA SOT-323
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.75PF 50V NP0 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE VREG 3.9V 500MW DO-35
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 0.015UF 50V 10% X7R 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 DIODE ZENER 6.8V 300MW SOD523
- D-Sub TE Connectivity SC-79,SOD-523 CONN D-SUB RECPT 25P 22-26AWG AU
- RF 二极管 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE PIN 60V 100MA SOD-882
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 680PF 25V 10% X7R 0402