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BC856W 全国供应商、价格、PDF资料

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BC856W,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
功率_最大:200mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:SC-70
包装:剪切带 (CT)

BC856W,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
功率_最大:200mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:SC-70
包装:带卷 (TR)

BC856W,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
功率_最大:200mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:SC-70
包装:Digi-Reel®

BC856W,115详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
功率_最大:200mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:SC-70
包装:带卷 (TR)

BC856W,135详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT323
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:PNP
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
功率_最大:200mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商设备封装:SC-70
包装:带卷 (TR)

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