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BC856BDW1T1 全国供应商、价格、PDF资料

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BC856BDW1T1详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列
描述:TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:2 PNP(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:380mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:带卷 (TR)

BC856BDW1T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列
描述:TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:2 PNP(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:380mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:带卷 (TR)

BC856BDW1T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列
描述:TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:2 PNP(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:380mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:Digi-Reel®

BC856BDW1T1G详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列
描述:TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:2 PNP(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):65V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:220 @ 2mA,5V
功率_最大:380mW
频率_转换:100MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:SOT-363
包装:剪切带 (CT)

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