BC856A,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BC856A,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BC856A,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BC856A,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BC856A-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 65V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:Digi-Reel®
BC856A-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP BIPOLAR 65V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):65V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):15nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 560PF 25V 5% X7R 0805
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) TERM BLOCK PLC 16POS-IN 120VAC
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 65V 100MA SOT23
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X8R 0603
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3900PF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.022UF 100V 5% NP0 1812
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET OD 4.0V 100MS 5SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 5.6PF 50V NP0 0201
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 0201(0603 公制) TERM BLOCK PLC 8POS-IN 240VAC
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 0.033UF 50V 10% X8R 0603
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.022UF 100V 5% X7R 1812
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 6800PF 2.5KVDC RADIAL
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET OD 4.0V 200MS 5SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 68PF 50V 5% NP0 0201
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 560PF 200V 10% X7R 0805