BC849AMTF详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:110 @ 2mA,5V
- 功率_最大:310mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BC849B,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BC849B,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BC849B,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BC849B,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BC849B,235详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) CPU 7.2K W/RS232 7.27.20POS I/O
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1000PF 50V 10% NP0 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 220PF 2KV 20% NP0 1812
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.033UF 2.5KVDC RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 33PF 50V 5% NP0 0201
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET OD 2.5V 50MS 5SSOP
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 510PF 25V 1% NP0 0805
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 0805(2012 公制) CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 220PF 2KV 20% X7R 1812
- PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET OD 2.6V 200MS 5SSOP
- 陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0201
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 3900PF 2.5KVDC RADIAL
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div 径向 CPU 15.2K W/RS232 880POS I/O
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 510PF 100V 5% NP0 0805