BC847BVN,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:剪切带 (CT)
BC847BVN,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:Digi-Reel®
BC847BVN,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT666
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-666
- 包装:带卷 (TR)
BC847BVN-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN/PNP SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:150mW
- 频率_转换:300MHz,200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:剪切带 (CT)
BC847BVN-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN/PNP SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:150mW
- 频率_转换:300MHz,200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)
BC847BVN-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANSISTOR DUAL NPN/PNP SOT-563
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN,PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA / 650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V / 220 @ 2mA,5V
- 功率_最大:150mW
- 频率_转换:300MHz,200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 10PF 50V NP0 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN 45V 100MA SOT23
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 2512(6432 公制),凹陷 RES ARRAY 220K OHM 8 RES 2512
- 固定式 Wurth Electronics Inc 0402(1005 公制) INDUCTOR 39NH .32A WW 0402
- 可变电容二极管(可变电容二极管,变容二极管) NXP Semiconductors SC-79,SOD-523 DIODE UHF VAR CAP 30V SOD523
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0402
- 单二极管/整流器 Micro Commercial Co SC-70,SOT-323 DIODE SWITCH 75V 200MA SOD323
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 10PF 50V NP0 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA DIODE ZENER 9.1V 1.5W SOT223
- 固定式 Wurth Electronics Inc 0402(1005 公制) INDUCTOR 40NH .32A WW 0402
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0402
- 配件 Littelfuse Inc 0402(1005 公制) BUSBAR TERMINAL POWER FEED LUG
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 10PF 25V 5% NP0 0402
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA DIODE ZENER 1.5W 9.1V SOT223
- 晶体管(BJT) - 单路 Micro Commercial Co SC-70,SOT-323 TRANS SS NPN 45V SOT-323