BC559B详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC559B_J35Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP EPTXL 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC559BBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC559BTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
BC559BTAR详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
BC559BU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 30V 100MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):30V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:110 @ 2mA,5V
- 功率_最大:500mW
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
- 热 - 垫,片 t-Global Technology - THERMAL PAD TI900 TO-220 0.12MM
- 矩形- 接头,公引脚 3M Hockey Puck CONN HEADER 24POS SMD VERT 10AU
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 30V 100MA TO-92
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 56-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) IC TX 28BIT CHAN LINK 56TSSOP
- D-Sub,D 形 - 外壳 ITT Cannon 5AG,10mm x 38.1mm DSUB 37 F CRIMP
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc 5.00mm L x 5.00mm W x 1.30mm H CONN RCPT 8POS DUAL .05" SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM DDR-II+ CIO 72MB 165FBGA
- 数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盘 IC DAC 16BIT MULTIPLYING 8-SON
- 热 - 垫,片 t-Global Technology - L37-3F TO-220 0.25MM W/ADH
- D-Sub ITT Cannon 5AG,10mm x 38.1mm DSUB 62 F SKT CAD
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 56-TFSOP(0.240",6.10mm 宽) IC RCVR 28BIT CHAN LINK 56TSSOP
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc 5.00mm L x 5.00mm W x 1.30mm H CONN RCPT 10POS DUAL .05" SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 72MBIT 550MHZ 165-FPBGA
- 数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 8-VDFN 裸露焊盘 IC DAC 16BIT MULTIPLYING 8-SON
- 可调功率电阻 Ohmite 圆柱形,管件 RESISTOR POWER ADJ 25 OHM 25W