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BC368 全国供应商、价格、PDF资料

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BC368详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 20V 1A TO-92
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:85 @ 500mA,1V
功率_最大:625mW
频率_转换:65MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:散装

BC368详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 20V 2A TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):2A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:85 @ 500mA,1V
功率_最大:625mW
频率_转换:45MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:散装

BC368,112详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 20V 1A TO-92
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:85 @ 500mA,1V
功率_最大:830mW
频率_转换:170MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:TO-92-3
包装:管件

BC368,126详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 20V 1A TO-92
系列:-
制造商:NXP Semiconductors
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):1A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:85 @ 500mA,1V
功率_最大:830mW
频率_转换:170MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带盒(TB)

BC368_D26Z详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 20V 2A TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):2A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:85 @ 500mA,1V
功率_最大:625mW
频率_转换:45MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带卷 (TR)

BC368_D27Z详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANSISTOR NPN 20V 2A TO-92
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):2A
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 100mA,1A
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:85 @ 500mA,1V
功率_最大:625mW
频率_转换:45MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装:TO-92-3
包装:带卷 (TR)

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