BC32725详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC32725_J18Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC32725_J35Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP EPTXL 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC32725BU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC32725TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
BC32725TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:160 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
- 电容器 EPCOS Inc 47UF 80V 10X12.5 SINGLE END
- 热敏 - 散热器 Advanced Thermal Solutions Inc HEAT SINK 19MM X 19MM X 17.5MM
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - SMD CAP ALUM 47UF 16V 20% SMD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 径向,Can - SMD CABLE C200H-ASCO2 TO 25POS RS-23
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.22UF 50V 10% RADIAL
- 单二极管/整流器 Diodes Inc 2-XFDFN DIODE 85V 215MA 2-DFN
- 光纤 TE Connectivity 2-XFDFN C/A 62.5 OFNR SC DUP-MTRJ
- 热敏 - 散热器 Advanced Thermal Solutions Inc 2-XFDFN HEAT SINK 21MM X 21MM X 12.5MM
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - SMD CAP ALUM 470UF 16V 20% SMD
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.47UF 50V 10% RADIAL
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 径向 CABLE I/O 2M COO
- 单二极管/整流器 Diodes Inc 2-XFDFN DIODE 85V 215MA 2-DFN
- 光纤 TE Connectivity 2-XFDFN CA,62.5,MTRJ-SC
- 电容器 EPCOS Inc 220UF 25V 10X12.5 SINGLE END