B82469G1911M 全国供应商、价格、PDF资料
B82469G1911M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER .91UH 2A SMD
- 系列:B82469G1
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:910nH
- 电流:
- 额定电流:2A
- 电流_饱和值:-
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:33 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.150" L x 0.142" W x 0.047" H(3.80mm x 3.60mm x 1.20mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
B82469G1911M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER .91UH 2A SMD
- 系列:B82469G1
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:910nH
- 电流:
- 额定电流:2A
- 电流_饱和值:-
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:33 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.150" L x 0.142" W x 0.047" H(3.80mm x 3.60mm x 1.20mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
B82469G1911M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER .91UH 2A SMD
- 系列:B82469G1
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:910nH
- 电流:
- 额定电流:2A
- 电流_饱和值:-
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:33 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.150" L x 0.142" W x 0.047" H(3.80mm x 3.60mm x 1.20mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
- 矩形 CW Industries DIP CABLE - CDR40G/AE40G/CDR40G
- RF FET NXP Semiconductors SOT922-1 TRANS S-BAND RADAR LDMOS SOT922
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 10-VFDFN 裸露焊盘 IC LI-ION BATTERY CHARGER 10-SON
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 4.7UH 1.2A SMD
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 6800UF 350V
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
- 电容器 EPCOS Inc 220UF 16V 8X11.5 SINGLE END
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502A TRANS LDMOS 3.5GHZ SOT502B
- 矩形 CW Industries SOT-502A DIP CABLE - CDR40G/AE40M/CDR40G
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 8200UF 350V
- 电容器 EPCOS Inc 2200UF 16V 12.5X20 SINGLE END
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
- 其它 NXP Semiconductors 0805(2012 公制) TRANS RF PWR LDMOS 105W SOT502A
- 矩形 CW Industries 0805(2012 公制) DIP CABLE - CDR40S/AE40G/CDR40S
- 电容器 EPCOS Inc 10UF 25V 5X11 SINGLE END