B82469G1391M 全国供应商、价格、PDF资料
B82469G1391M详细规格
- 类别：固定式
- 描述：INDUCTOR POWER .39UH 2.8A SMD
- 系列：B82469G1
- 制造商：EPCOS Inc
- 类型：铁氧体芯体
- 电感：390nH
- 电流：
- 额定电流：2.8A
- 电流_饱和值：-
- 容差：±20%
- 材料_磁芯：铁氧体
- 屏蔽：屏蔽
- DC电阻333DCR444：16 毫欧
- 不同频率时的Q值：-
- 频率_自谐振：-
- 工作温度：-
- 封装/外壳：非标准
- 大小/尺寸：0.150" L x 0.142" W x 0.047" H（3.80mm x 3.60mm x 1.20mm）
- 安装类型：表面贴装
- 包装：剪切带 (CT)
B82469G1391M详细规格
- 类别：固定式
- 描述：INDUCTOR POWER .39UH 2.8A SMD
- 系列：B82469G1
- 制造商：EPCOS Inc
- 类型：铁氧体芯体
- 电感：390nH
- 电流：
- 额定电流：2.8A
- 电流_饱和值：-
- 容差：±20%
- 材料_磁芯：铁氧体
- 屏蔽：屏蔽
- DC电阻333DCR444：16 毫欧
- 不同频率时的Q值：-
- 频率_自谐振：-
- 工作温度：-
- 封装/外壳：非标准
- 大小/尺寸：0.150" L x 0.142" W x 0.047" H（3.80mm x 3.60mm x 1.20mm）
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
B82469G1391M详细规格
- 类别：固定式
- 描述：INDUCTOR POWER .39UH 2.8A SMD
- 系列：B82469G1
- 制造商：EPCOS Inc
- 类型：铁氧体芯体
- 电感：390nH
- 电流：
- 额定电流：2.8A
- 电流_饱和值：-
- 容差：±20%
- 材料_磁芯：铁氧体
- 屏蔽：屏蔽
- DC电阻333DCR444：16 毫欧
- 不同频率时的Q值：-
- 频率_自谐振：-
- 工作温度：-
- 封装/外壳：非标准
- 大小/尺寸：0.150" L x 0.142" W x 0.047" H（3.80mm x 3.60mm x 1.20mm）
- 安装类型：表面贴装
- 包装：Digi-Reel®
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 7.5PF 16V NP0 01005
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.033UF 16V 10% X7R 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-243AA TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-89
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN 50V 100MA TO-92
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 33PF 50V 2% NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 22UH .53A SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.033UF 10V 10% X5R 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-243AA TRANSISTOR NPN AF 60V SOT-89
- 陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 33PF 200V 5% NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-243AA TRANS PNP AF 20V SOT-89
- 陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.033UF 10V 10% X5R 0402
- 陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 8.2PF 16V NP0 01005
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 6.8UH .90A SMD
13910052844（微 
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