B82469G1103M 全国供应商、价格、PDF资料
B82469G1103M详细规格
- 类别：固定式
- 描述：INDUCTOR POWER 10UH .80A SMD
- 系列：B82469G1
- 制造商：EPCOS Inc
- 类型：铁氧体芯体
- 电感：10µH
- 电流：
- 额定电流：800mA
- 电流_饱和值：660mA
- 容差：±20%
- 材料_磁芯：铁氧体
- 屏蔽：屏蔽
- DC电阻333DCR444：270 毫欧
- 不同频率时的Q值：-
- 频率_自谐振：-
- 工作温度：-
- 封装/外壳：非标准
- 大小/尺寸：0.150" L x 0.142" W x 0.047" H（3.80mm x 3.60mm x 1.20mm）
- 安装类型：表面贴装
- 包装：剪切带 (CT)
B82469G1103M详细规格
- 类别：固定式
- 描述：INDUCTOR POWER 10UH .80A SMD
- 系列：B82469G1
- 制造商：EPCOS Inc
- 类型：铁氧体芯体
- 电感：10µH
- 电流：
- 额定电流：800mA
- 电流_饱和值：660mA
- 容差：±20%
- 材料_磁芯：铁氧体
- 屏蔽：屏蔽
- DC电阻333DCR444：270 毫欧
- 不同频率时的Q值：-
- 频率_自谐振：-
- 工作温度：-
- 封装/外壳：非标准
- 大小/尺寸：0.150" L x 0.142" W x 0.047" H（3.80mm x 3.60mm x 1.20mm）
- 安装类型：表面贴装
- 包装：带卷 (TR)
B82469G1103M详细规格
- 类别：固定式
- 描述：INDUCTOR POWER 10UH .80A SMD
- 系列：B82469G1
- 制造商：EPCOS Inc
- 类型：铁氧体芯体
- 电感：10µH
- 电流：
- 额定电流：800mA
- 电流_饱和值：660mA
- 容差：±20%
- 材料_磁芯：铁氧体
- 屏蔽：屏蔽
- DC电阻333DCR444：270 毫欧
- 不同频率时的Q值：-
- 频率_自谐振：-
- 工作温度：-
- 封装/外壳：非标准
- 大小/尺寸：0.150" L x 0.142" W x 0.047" H（3.80mm x 3.60mm x 1.20mm）
- 安装类型：表面贴装
- 包装：Digi-Reel®
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 100V X7R 0805
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 10-VFDFN 裸露焊盘 IC LI-ION BATTERY CHARGER 10SON
- 矩形 CW Industries 10-VFDFN 裸露焊盘 DIP CABLE - CDR14G/AE14M/CDR14G
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 8200UF 250V
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 1.0UH 1.95A SMD
- 电容器 EPCOS Inc 330UF 10V 8X11.5 SINGLE END
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0805
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-422A TRANSISTOR RF POWER SOT422A
- 矩形 CW Industries SOT-422A DIP CABLE - CDR16G/AE16G/CDR16G
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 10000UF 350V
- 电容器 EPCOS Inc 470UF 10V 8X11.5 SINGLE END
- 陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0805
- 矩形 CW Industries 0805（2012 公制） DIP CABLE - CDR24G/AE24M/CDR24G
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B
- 评估演示板和套件 Texas Instruments SOT-502B EVAL MODULE FOR BQ24086EVM
13910052844（微 
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