B82466G561M 全国供应商、价格、PDF资料
B82466G561M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER .56UH 1.3A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:560nH
- 电流:
- 额定电流:1.3A
- 电流_饱和值:1.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:70 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
B82466G561M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER .56UH 1.3A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:560nH
- 电流:
- 额定电流:1.3A
- 电流_饱和值:1.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:70 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
B82466G561M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER .56UH 1.3A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:560nH
- 电流:
- 额定电流:1.3A
- 电流_饱和值:1.6A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:70 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
- DC DC Converters GE 11-SIP 模块 CONVE DC/DC 0.75 3.63V @ 10A SIP
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 2.7UH .72A SMD
- 铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) FERRITE CHIP 120 OHM 1300MA 0402
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.015UF 100V X7R 1206
- 保险丝 Bel Fuse Inc 5mm x 20mm(轴向) FUSE 1A 250V SLOW AXIAL 5TTP
- RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 5mm x 20mm(轴向) BOARD SHIELD .65X.65" COVER
- 热敏电阻 - NTC EPCOS Inc 塑模盘 NTC THERMISTOR K164/3.3K/K52 10%
- DC DC Converters GE 7-SMD 模块 CONVE DC/DC 0.75 3.63V @ 10A SMD
- 存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8TSSOP
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.015UF 100V X7R 1206
- 保险丝 Bel Fuse Inc 5mm x 20mm(轴向) FUSE 1.6A 250VAC AXIAL SLOW
- 热敏电阻 - NTC EPCOS Inc 塑模盘 THERMISTOR NTC 47 OHM 10% RADIAL
- RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 塑模盘 BOARD SHIELD .65X.65" FRAME
- DC DC Converters GE 11-SIP 模块 CONVE DC/DC 0.75 3.63V @ 10A SIP
- 存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8TSSOP