B82466G103M 全国供应商、价格、PDF资料
B82466G103M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 10UH .36A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:360mA
- 电流_饱和值:400mA
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:900 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
B82466G103M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 10UH .36A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:360mA
- 电流_饱和值:400mA
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:900 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
B82466G103M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 10UH .36A SMD
- 系列:B82466G0
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:360mA
- 电流_饱和值:400mA
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:900 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.079" L x 0.079" W x 0.039" H(2.00mm x 2.00mm x 1.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 32V 100MA SOT23
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 100MA 45V SOT-23
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc 0402(1005 公制) CERADIODE 5.6VDC 10A 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 2.7PF 25V NP0 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 1.0UH 1.05A SMD
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS NPN GP 32V 800MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 100MA 45V SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 2.7PF 50V NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANSISTOR PNP AF 65V SOT-323
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 330PF 50V 5% X7R 0402
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CU4032K250G2K1
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 10UH .55A SMD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 30PF 25V NP0 0603