B82464Z4103M 全国供应商、价格、PDF资料
B82464Z4103M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 10UH 3.4A SMD
- 系列:B82464Z4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:3.4A
- 电流_饱和值:3.5A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 30 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.394" L x 0.394" W x 0.189" H(10.00mm x 10.00mm x 4.80mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
B82464Z4103M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 10UH 3.4A SMD
- 系列:B82464Z4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:3.4A
- 电流_饱和值:3.5A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 30 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.394" L x 0.394" W x 0.189" H(10.00mm x 10.00mm x 4.80mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
B82464Z4103M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 10UH 3.4A SMD
- 系列:B82464Z4
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:10µH
- 电流:
- 额定电流:3.4A
- 电流_饱和值:3.5A
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 30 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.394" L x 0.394" W x 0.189" H(10.00mm x 10.00mm x 4.80mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-323
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 2.7PF 25V NP0 0402
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0603S17BCCG
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 10*10 6.8UH
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.027UF 25V 10% X7R 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 2.7PF 16V NP0 0402
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0603M7G
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.027UF 16V 10% X7R 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
- TVS - 二极管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 30PF 25V 1% NP0 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTORS NPN AF 45V SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.027UF 16V 10% X7R 0603