B41252B8158M 全国供应商、价格、PDF资料
B41252B8158M详细规格
- 类别:电容器
- 描述:1500UF 63V 25.4X25 SNAP IN
- 系列:B41252
- 制造商:EPCOS Inc
- 电容:
- 额定电压:
- 容差:
- 寿命0a0温度:
- 工作温度:
- 特点:
- 纹波电流:
- ESR(等效串联电阻):
- 阻抗:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 尺寸/尺寸:
- 高度_座高(最大):
- 引线间隔:
- 表面贴装占地面积:
- 包装:
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.015UF 25V 5% X7R 0805
- 电容器 EPCOS Inc 4700UF 80V 35X40 SNAP IN
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 52.3 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盘 IC BATT/PROT 2-3CELL LIION 6SON
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.022UF 2KVDC RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL
- 通孔电阻器 TE Connectivity 轴向 RES 576 OHM 1/2W 0.1% AXIAL
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盘 IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 2400PF 2KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 2200PF 100V 5% RADIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23