B32776G4506K 全国供应商、价格、PDF资料
B32776G4506K详细规格
- 类别:薄膜
- 描述:CAP FILM 50UF 450VDC RADIAL
- 系列:B32776
- 制造商:EPCOS Inc
- 电容:50µF
- 额定电压_AC:-
- 额定电压_DC:450V
- 电介质材料:聚丙烯,金属化
- 容差:±10%
- ESR(等效串联电阻):4 毫欧
- 工作温度:-40°C ~ 105°C
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:径向
- 尺寸/尺寸:1.634" L x 1.102" W(41.50mm x 28.00mm)
- 高度_座高(最大):1.673"(42.50mm)
- 端子:PC 引脚
- 引线间隔:1.476"(37.50mm)
- 特点:通用
- 应用:-
- 包装:散装
B32776G4506K详细规格
- 类别:薄膜
- 描述:CAP FILM 50UF 450VDC RADIAL
- 系列:B32776
- 制造商:EPCOS Inc
- 电容:50µF
- 电压_额定:
- 容差:±10%
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:径向
- 工作温度:-40°C ~ 105°C
- 特点:通用
- 包装:散装
- 尺寸/尺寸:1.634" L x 1.102" W(41.50mm x 28.00mm)
- 高度_座高(最大):1.673"(42.50mm)
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0603
- RF 晶体管 (BJT) ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANS RF NPN 20V 100MA TO-92
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 47NF 10% 400V
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.015UF 450V X7T 0805
- 电池座,夹,触点 MPD (Memory Protection Devices) 0805(2012 公制) HOLDER BATT 2-AAA CELLS WIRE LDS
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 470PF 10V 10% X7R 01005
- RF FET NXP Semiconductors SOT-502B TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
- RF FET NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0603
- 箱 - 配件 Hammond Manufacturing 径向 KIT BATTERY HOLDER FOR 2 AA CELL
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.022UF 450V X7T 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 01005(0402 公制) CAP CER 470PF 10V 10% X7R 01005
- RF FET NXP Semiconductors SOT-1121B TRANS LDMOS SOT1121B
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 180PF 50V 5% NP0 0603
- RF FET NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B