AUIRLR2905 全国供应商、价格、PDF资料
AUIRLR2905详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
AUIRLR2905TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
AUIRLR2905TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
AUIRLR2905TRR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:48nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
AUIRLR2905Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 36A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1570pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:管件
AUIRLR2905ZTR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:42A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫欧 @ 36A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1570pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
- 存储器 - PC 卡 - 连接器 TE Connectivity P600,轴向 S.C.READER 0.76MM PNL MNT W CBL
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 1.0UF 10% 450V MKP
- FET - 单 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
- 专用 Opto Diode Corp TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 SENSOR ELECTRON DETECTION
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 Panasonic Electric Works TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 CONN SOCKET .8MM 20POS SMD
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc P600,轴向 TVS AXIAL HI POWER
- 铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0804(2010 公制),阵列,8 PC 板 FERRITE BEAD 240 OHM 0804
- 配件 NKK Switches 0804(2010 公制),阵列,8 PC 板 SW KEY TUBULAR HIGH SECURITY #50
- 配件 Pomona Electronics 0804(2010 公制),阵列,8 PC 板 TRI-FOLD POUCH BLACK
- 专用 Opto Diode Corp TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 SENSOR ELECTRON DETECTION
- 板对板 - 阵列,边缘类型,包厢 Panasonic Electric Works TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 CONN SOCKET .8MM 20POS SMD
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc P600,轴向 TVS AXIAL HI POWER
- 铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0804(2010 公制),阵列,8 PC 板 FERRITE BEAD 68 OHM 0804
- 配件 Pomona Electronics 0804(2010 公制),阵列,8 PC 板 TRI-FOLD POUCH BLACK
- 配件 NKK Switches 0804(2010 公制),阵列,8 PC 板 REPL KEY BRASS FOR CKL SER