AUIRF7739L2TR 全国供应商、价格、PDF资料
AUIRF7739L2TR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET2
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 毫欧 @ 160A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：330nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：11880pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等距 L8
- 供应商设备封装：DIRECTFET L8
- 包装：带卷 (TR)
AUIRF7739L2TR1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 375A DIRECTFET3
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：375A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 毫欧 @ 160A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：330nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：11880pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等距 L8
- 供应商设备封装：DIRECTFET L8
- 包装：带卷 (TR)
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.4700UF 5% 250V
- FET - 单 International Rectifier DirectFET? 等距 L6 MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET
- 配件 Tripp Lite DirectFET? 等距 L6 BATTERY PACK FOR UPS 48V
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 470PF 50V 5% RADIAL
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR POWER 50 OHM 12W 5%
- 振荡器 Abracon Corporation 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 32.768 MHZ CMOS MEMS SMD
- 嵌入式 - 微控制器， Atmel 100-TQFP MCU AVR 128K FLASH 8MHZ 100TQFP
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.47UF 250VDC RADIAL
- 通孔电阻器 Ohmite 轴向 RESISTOR POWER 5.0 OHM 12W 5%
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 680PF 50V 5% RADIAL
- 振荡器 Abracon Corporation 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 40.000 MHZ CMOS MEMS SMD
- 嵌入式 - 微控制器， Atmel 64-VFQFN 裸露焊盘 IC MCU AVR 128K FLASH 64-QFN
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 3300PF 50V 5% RADIAL
- 配件 Tripp Lite 径向 BATT PACK EXT 48V 3U EXP W/CABLE
0755-88291559 
18913062888 
0755-22929859 
171-4755-1968 
0755-89697985 
0755-83223003 
0755-83015506 
0755-23613962 
0755-/8321846 
13381567868 
0755-83291010 
18922805453 
0755-83231869 
15821228847 / 
