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AUIRF2907Z详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：75A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 75A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：270nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

AUIRF2907ZS-7P详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：管件

AUIRF2907ZS7PTL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：带卷 (TR)

AUIRF2907ZS7PTR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 75V 180A D2PAK-7; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：75V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：180A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 110A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：260nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7580pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB; 供应商设备封装：D2PAK（7-Lead）; 包装：带卷 (TR)

B43504E2108M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 200V
B37940K1680J060
陶瓷 EPCOS Inc 0805（2012 公制） CAP CER 68PF 100V 5% NP0 0805
AUIRF2903ZSTRR
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 235A D2PAK
BFC242078203
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.082UF 630VDC RADIAL
B37979N1391J054
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 390PF 100V 5% RADIAL
AT93C86A-10PU-1.8
存储器 Atmel 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC EEPROM 16KBIT 2MHZ 8DIP
AXK630347YG
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Panasonic Electric Works 8-DIP（0.300"，7.62mm） CONN HEADER P5K .5MM 30POS SMD
B048F060T24-EB
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Vicor Corporation 8-DIP（0.300"，7.62mm） EVAL BOARD 6V OUT 240W SMD
B37940K2221J060
陶瓷 EPCOS Inc 0805（2012 公制） CAP CER 220PF 200V 5% NP0 0805
BFC280811229
微调器，可变 Vishay BC Components TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB CAP TRIMMER 2.5-22PF 250V TH
AT93C86A-10SI-2.7
存储器 Atmel 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 16KBIT 2MHZ 8SOIC
AXK660347YG
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Panasonic Electric Works 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CONN HEADER P5K .5MM 60POS SMD
B37979N1471J000
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 470PF 100V 5% RADIAL
B048F080T24-EB
评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS Vicor Corporation 径向 EVAL BOARD 8V OUT 240W SMD
B37940K5020C270
陶瓷 EPCOS Inc 0805（2012 公制） CAP CER 2PF 50V NP0 0805

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