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APTGT750U60D4G详细规格: 类别：IGBT; 描述：IGBT 600V 1000A 2300W D4; 系列：-; 制造商：Microsemi Power Products Group; IGBT类型：沟道和场截止; 配置：单一; 电压_集电极发射极击穿（最大）：600V; VgewwwwIc时的最大Vce（开）：1.9V @ 15V，800A; 电流_集电极333Ic444（最大）：1000A; 电流_集电极截止（最大）：1mA; Vce时的输入电容333Cies444：49nF @ 25V; 功率_最大：2300W; 输入：标准; NTC热敏电阻：无; 安装类型：底座安装; 封装/外壳：D4; 供应商设备封装：D4

APTGT750U60D4G供应商

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APT10090BFLLG
FET - 单 Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
APTGT50TL601G
IGBT Microsemi Power Products Group SP1 POWER MODULE IGBT 600V 50A SP1
B32912A4103K
薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 10NF 10% 440VAC
BFC241679104
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.91UF 63VDC RADIAL
B37987F1104K058
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.1UF 100V 10% RADIAL
ADS62P42IRGCTG4
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 64-VFQFN 裸露焊盘 IC ADC 14BIT SER/PAR 65M 64VQFN
APT10090BLLG
FET - 单 Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247
BFC241711604
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.16UF 160VDC RADIAL
B32912A4103M289
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 10000PF 440VAC RADIAL
ADS62P44IRGCT
数据采集 - 模数转换器 Texas Instruments 64-VFQFN 裸露焊盘 IC ADC 14BIT DUAL 105MSPS 64VQFN
APT100GN60B2G
IGBT - 单路 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 IGBT 600V 229A 625W TMAX
B32912A4223M
薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.022UF 440VAC RADIAL
BFC241712004
薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.2UF 160VDC RADIAL
APTGT75A170D1G
IGBT Microsemi Power Products Group D1 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
B37987F1154K051
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.15UF 100V 10% RADIAL