APT30M19JVFR 全国供应商、价格、PDF资料
APT30M19JVFR详细规格
- 类别：FET
- 描述：MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
- 系列：POWER MOS V®
- 制造商：Microsemi Power Products Group
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：300V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：130A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19 毫欧 @ 500mA，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 5mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：975nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：21600pF @ 25V
- 功率_最大：700W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商设备封装：ISOTOP?
- 包装：管件
- PMIC - 稳压器 - 线性 ams 4-UFBGA，WLCSP IC REG LDO 1.8V .2A 4WLCSP
- IGBT Microsemi Power Products Group SOT-227-4，miniBLOC IGBT 600V 67A 245W SOT227
- 光纤 TE Connectivity SOT-227-4，miniBLOC CA SM LDD SCD(NG)TO2.5BAY33FT
- 气体放电管 (GDT) EPCOS Inc A80-A350X
- 存储器 Atmel 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8TSSOP
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.0150UF 5% 400V
- PMIC - 稳压器 - 线性 ams 4-UFBGA，WLCSP IC REG LDO 2.5V .2A 4WLCSP
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 2200PF 100V 5% RADIAL
- 存储器 Atmel 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOIC
- 光纤 TE Connectivity SOT-227-4，miniBLOC CA SM LDD SCD(NG)TO2.5BAY49FT
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.047UF 400VDC RADIAL
- PMIC - 稳压器 - 线性 ams 4-UFBGA，WLCSP IC REG LDO 2.8V .2A 4WLCSP
- 存储器 Atmel 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8DIP
- 陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 2200PF 100V 5% RADIAL
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.068UF 400VDC RADIAL
18913062888 
13381567868 
0512-57718939 
13311626995 
400-156956323 
0512-82613006 
15821228847 / 
0755-82522939 
0755-82574045 
0755-82578309 
171-4755-1968 
13910052844（微 
0755-23140719 
0755-23915992 
