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AO4800 全国供应商、价格、PDF资料

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AO4800B详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6.9A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 15V
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC
包装:带卷 (TR)

AO4800B详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6.9A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 15V
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC
包装:剪切带 (CT)

AO4800B详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
系列:-
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.9A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫欧 @ 6.9A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 15V
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC
包装:Digi-Reel®

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