743C083682JTR 全国供应商、价格、PDF资料
743C083682JTR详细规格
- 类别:网络、阵列
- 描述:RES ARRAY 6.8K OHM 4 RES 2008
- 系列:743
- 制造商:CTS Resistor Products
- 电路类型:隔离
- 电阻333Ω444:6.8k
- 电阻器数:4
- 引脚数:8
- 每元件功率:100mW
- 容差:±5%
- 温度系数:±200ppm/°C
- 应用:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:2008(5020 公制),凹陷
- 供应商器件封装:0805 x 4
- 大小/尺寸:0.200" L x 0.079" W(5.08mm x 2.00mm)
- 高度:0.024"(0.60mm)
- 包装:Digi-Reel®
743C083682JTR详细规格
- 类别:网络、阵列
- 描述:RES ARRAY 6.8K OHM 4 RES 2008
- 系列:743
- 制造商:CTS Resistor Products
- 电路类型:隔离
- 电阻333Ω444:6.8k
- 电阻器数:4
- 引脚数:8
- 每元件功率:100mW
- 容差:±5%
- 温度系数:±200ppm/°C
- 应用:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:2008(5020 公制),凹陷
- 供应商器件封装:0805 x 4
- 大小/尺寸:0.200" L x 0.079" W(5.08mm x 2.00mm)
- 高度:0.024"(0.60mm)
- 包装:带卷 (TR)
743C083682JTR详细规格
- 类别:网络、阵列
- 描述:RES ARRAY 6.8K OHM 4 RES 2008
- 系列:743
- 制造商:CTS Resistor Products
- 电路类型:隔离
- 电阻333Ω444:6.8k
- 电阻器数:4
- 引脚数:8
- 每元件功率:100mW
- 容差:±5%
- 温度系数:±200ppm/°C
- 应用:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:2008(5020 公制),凹陷
- 供应商器件封装:0805 x 4
- 大小/尺寸:0.200" L x 0.079" W(5.08mm x 2.00mm)
- 高度:0.024"(0.60mm)
- 包装:剪切带 (CT)
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 15UH 1.25A SMD
- FET - 单 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK
- 二极管/齐纳阵列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE ZENER DUAL 22V SC70-6
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-220-3 全封装截切引线 IC REG LDO 5V .5A TO220CP-3
- 单二极管/齐纳 Micro Commercial Co DO-213AC(玻璃) DIODE ZENER 500MW 6.8V MINIMELF
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引脚 RING CORE DBL CHOKE 3.9MH 6A
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 220UH .35A SMD
- 二极管/齐纳阵列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE ZENER DUAL 22V SC70-6
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IC REG LDO 7V .5A TO-252-3
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-80C DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80C
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 68UH .65A SMD
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH TRENCH 100V D2PAK
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引脚 RING CORE DBL CHOKE 7.5MH 6A
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 2008(5020 公制),凹陷 RES ARRAY 68K OHM 4 RES 2008