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3MN03SF-TL-E详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 20V 30MA 3SSFP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; 频率_转换：320MHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：3dB @ 100MHz; 增益：-; 功率_最大：150mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 1mA，6V; 电流_集电极333Ic444（最大）：30mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：3-SSFP; 包装：剪切带 (CT)

3MN03SF-TL-E详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 20V 30MA 3SSFP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; 频率_转换：320MHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：3dB @ 100MHz; 增益：-; 功率_最大：150mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 1mA，6V; 电流_集电极333Ic444（最大）：30mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：3-SSFP; 包装：Digi-Reel®

3MN03SF-TL-E详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS NPN 20V 30MA 3SSFP; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：20V; 频率_转换：320MHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：3dB @ 100MHz; 增益：-; 功率_最大：150mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 1mA，6V; 电流_集电极333Ic444（最大）：30mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：3-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：3-SSFP; 包装：带卷 (TR)

4020P
配件 Patco Electronics P600，轴向 CABLE HOOKUP BATT. SPRING CLAMP
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保险丝 Cooper Bussmann 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4"（轴向） FUSE 1/10A 250V GLS FST AXIAL UL
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FET - 单 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 7A TO252
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FET - 单 Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
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晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4，TO-261AA TRANS PNP 60V 1A 2W SOT223
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RF配件 Silicon Laboratories Inc P600，轴向 KIT DEV TEST EZRADIO SI4021 TX
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FET - 单 Alpha & Omega Semiconductor Inc TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N CH 250V 8A TO252
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FET - 单 Microsemi Power Products Group TO-220-3 MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
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晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT-223
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配件 Analog Devices Inc TO-261-4，TO-261AA BOARD EXT LANDSCAP LCD INTERFACE
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TVS - 二极管 Littelfuse Inc P600，轴向 TVS DIODE AXIAL LEAD
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设备容器 3M P600，轴向 CARD CARRIER 2.5X3.5X1.7 W/LID

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