30A01SS-TL-E 全国供应商、价格、PDF资料

30A01SS-TL-E详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 30V 0.3A 3SSFP

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：300mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：220mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 10mA，2V

功率_最大：200mW

频率_转换：520MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，扁平引线

供应商设备封装：3-SSFP

包装：Digi-Reel®

30A01SS-TL-E详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 30V 0.3A 3SSFP

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：300mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：220mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 10mA，2V

功率_最大：200mW

频率_转换：520MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，扁平引线

供应商设备封装：3-SSFP

包装：剪切带 (CT)

30A01SS-TL-E详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP 30V 0.3A 3SSFP

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：300mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：220mV @ 5mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 10mA，2V

功率_最大：200mW

频率_转换：520MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，扁平引线

供应商设备封装：3-SSFP

包装：带卷 (TR)