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当前位置:网站首页 » 库存索引78 » 型号"2SK381"的供应信息

2SK381 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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2SK3811-ZP-E1-AY详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 55A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:17700pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:Digi-Reel®

2SK3811-ZP-E1-AY详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 55A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:17700pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:剪切带 (CT)

2SK3811-ZP-E1-AY详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:40V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫欧 @ 55A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:260nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:17700pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:带卷 (TR)

2SK3812-ZP-E1-AY详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 55A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:250nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:16800pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:Digi-Reel®

2SK3812-ZP-E1-AY详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 55A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:250nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:16800pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:带卷 (TR)

2SK3812-ZP-E1-AY详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
系列:-
制造商:Renesas Electronics America
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:110A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 55A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):-
闸电荷333Qg4440a0Vgs:250nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:16800pF @ 10V
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:TO-263
包装:剪切带 (CT)

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