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2SK3176详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:52 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:125nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5400pF @ 10V
功率_最大:150W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P(N)
包装:管件

2SK3176(F)详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:200V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:30A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:52 毫欧 @ 15A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3.5V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:125nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:5400pF @ 10V
功率_最大:150W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装:TO-3P(N)
包装:管件

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