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2SD1328 全国供应商、价格、PDF资料

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2SD132800L详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:迷你型3-G1
包装:剪切带 (CT)

2SD132800L详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:迷你型3-G1
包装:带卷 (TR)

2SD132800L详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN LV AMP 20VCED MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:迷你型3-G1
包装:Digi-Reel®

2SD13280RL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:迷你型3-G1
包装:带卷 (TR)

2SD13280RL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:迷你型3-G1
包装:剪切带 (CT)

2SD13280RL详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN LV AMP 20VCEO MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):500mA
电压_集电极发射极击穿(最大):20V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 20mA,500mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:200 @ 500mA,2V
功率_最大:200mW
频率_转换:200MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:迷你型3-G1
包装:Digi-Reel®

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