2SC5866TLQ 全国供应商、价格、PDF资料

2SC5866TLQ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 60V 2A TSMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-96

供应商设备封装：TSMT3

包装：剪切带 (CT)

2SC5866TLQ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 60V 2A TSMT3 TR

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-96

供应商设备封装：TSMT3

包装：带卷 (TR)

2SC5866TLQ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 60V 2A TSMT3

系列：-

制造商：Rohm Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：2A

电压_集电极发射极击穿（最大）：60V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 100mA，1A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，2V

功率_最大：500mW

频率_转换：200MHz

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-96

供应商设备封装：TSMT3

包装：Digi-Reel®