2SC53 全国供应商、价格、PDF资料

2SC5307(TE12L,F)详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 400V 0.05A SC-62

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：50mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 500µA，20mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 20mA，5V

功率_最大：500mW

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：PW-Mini（4.6x4.2）

包装：带卷 (TR)

2SC5347AE-TD-E详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

频率_转换：4.7GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.8dB @ 1GHz

增益：8dB

功率_最大：1.3W

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：90 @ 50mA，5V

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：PCP

包装：带卷 (TR)

2SC5347AF-TD-E详细规格

类别：RF 晶体管 (BJT)

描述：TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP

系列：-

制造商：ON Semiconductor

晶体管类型：NPN

电压_集电极发射极击穿（最大）：12V

频率_转换：4.7GHz

噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.8dB @ 1GHz

增益：8dB

功率_最大：1.3W

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：135 @ 50mA，5V

电流_集电极333Ic444（最大）：150mA

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-243AA

供应商设备封装：PCP

包装：带卷 (TR)

2SC5354详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN TO-3PN

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：800V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10 @ 1mA，5V

功率_最大：100W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P（N）

包装：管件

2SC5354-1(F)详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 800V 5A TO-3PN

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：800V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 400mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10 @ 1mA，5V

功率_最大：100W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3

供应商设备封装：TO-3P（N）

包装：散装

2SC5355(TE16L1,Q)详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 400V 5A TSM

系列：-

制造商：Toshiba

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 250mA，2A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：20 @ 500mA，5V

功率_最大：1.5W

频率_转换：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商设备封装：TSM（2.9x2.8）

包装：带卷 (TR)