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2SC3838K 全国供应商、价格、PDF资料

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2SC3838KT146N详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):50mA
电压_集电极发射极击穿(最大):11V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,10V
功率_最大:200mW
频率_转换:3.2GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SMT3
包装:剪切带 (CT)

2SC3838KT146N详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):50mA
电压_集电极发射极击穿(最大):11V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,10V
功率_最大:200mW
频率_转换:3.2GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SMT3
包装:Digi-Reel®

2SC3838KT146N详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):50mA
电压_集电极发射极击穿(最大):11V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,10V
功率_最大:200mW
频率_转换:3.2GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SMT3
包装:带卷 (TR)

2SC3838KT146P详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):50mA
电压_集电极发射极击穿(最大):11V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 5mA,10V
功率_最大:200mW
频率_转换:3.2GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SMT3
包装:剪切带 (CT)

2SC3838KT146P详细规格

类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):50mA
电压_集电极发射极击穿(最大):11V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 5mA,10V
功率_最大:200mW
频率_转换:3.2GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SMT3
包装:带卷 (TR)

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类别:晶体管(BJT) - 单路
描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:NPN
电流_集电极333Ic444(最大):50mA
电压_集电极发射极击穿(最大):11V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止(最大):-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 5mA,10V
功率_最大:200mW
频率_转换:3.2GHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装:SMT3
包装:Digi-Reel®

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