2SC3837KT146N详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-346 TR
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 10mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:1.5GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:带卷 (TR)
2SC3837KT146P详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:1.5GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:带卷 (TR)
2SC3837KT146P详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:1.5GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:剪切带 (CT)
2SC3837KT146P详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 20V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 4mA,20mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:82 @ 10mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:1.5GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:Digi-Reel®
2SC3838KT146N详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):11V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:3.2GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:剪切带 (CT)
2SC3838KT146N详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 11V 50MA SOT-346
- 系列:-
- 制造商:Rohm Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):50mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):11V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 5mA,10mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,10V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:3.2GHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SMT3
- 包装:Digi-Reel®
- 单二极管/整流器 Microsemi Power Products Group TO-247-2 DIODE ULT FAST 75A 1200V TO-247
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-247-2 PADDLE SW COVER FOR INCANDSCENT
- 存储器 Atmel 8-UDFN 裸露焊盘 IC EEPROM 8KBIT 4MHZ 8MAP
- 按钮 Omron Electronics Inc-IA Div 8-UDFN 裸露焊盘 SWITCH PUSH SPST-NC 10A 110V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 8-UDFN 裸露焊盘 SWITCH PLATE E-STOP RUN/INCH
- FET - 阵列 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 60V 6.3A 8-SOIC
- FET - 单 Microsemi Power Products Group TO-247-3 变式 MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX
- 配件 Honeywell Sensing and Control TO-247-3 变式 PADDLE SW COVER FOR INCANDSCENT
- 按钮 Omron Electronics Inc-IA Div TO-247-3 变式 SWITCH PUSH SPST-NO 10A 110V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SWITCH PLATE E-STOP FEED STOP
- FET - 阵列 Alpha & Omega Semiconductor Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
- 配件 Honeywell Sensing and Control 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) PADDLE SW COVER FOR INCANDSCENT
- FET - 单 Microsemi Power Products Group TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
- 存储器 Atmel 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC EEPROM 16KBIT 13MHZ 8SOIC
- 按钮 Omron Electronics Inc-IA Div 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SWITCH PUSH DPST-NC 10A 110V