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2SC2812N6-TB-E详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN BIPO 150MA 50V CP; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：150mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：50V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：135 @ 1mA，6V; 功率_最大：200mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：3-CP; 包装：带卷 (TR)

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微調器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 50K OHM 0.5W TH
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微調器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 1M OHM 0.125W SMD
4303.0062
电源输入 - 输入端，输出端，模块 Schurter Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOCKET PWR ENTRY 2P 1.5MM SNAPIN
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FET - 单 Rohm Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN
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钽 Vishay Sprague 2312（6032 公制） CAP TANT 2.2UF 50V 10% 2312
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RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 Wurth Electronics Inc 2312（6032 公制） GASKET FABRIC/FOAM 3X3MM D-SHAPE
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微調器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 100 OHM 0.5W TH
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微調器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 200 OHM 0.125W SMD